(3.11),

I(VD1,VD2)=5 mA – ток в рабочей точке диода, обеспечивающий падение напряжения на диоде равным 0.6 В;

IбVT1 - необходимый ток базы транзистора VT1 обеспечиваю максимальный ток коллектора на уровне 2,5 А.

Ключевой элемент VT1 выполним на транзисторе КТ972А (составной транзистор выполненный по схеме Дарлингтона) который имеет следующие параметры:

fгр = 400 МГц;

максимально допустимая постоянная мощность коллектора Рк max = 10 Вт;

Пробивное напряжение коллектор – база при разомкнутой цепи эммитера Uкбо прб = 35 В;

Пробивное напряжение эммитер – база при разомкнутой цепи коллектора Uэбо проб 4.5 В;

Максимально допустимый ток коллектора Ik max = 5 A;

Обратный ток коллекторного перехода при разомкнутом выводе коллектора Iкбо = = 0,5 мкА;

Статический коэффициент перелачи тока в схеме с общим эммитером h21Э = 800;

Емкость колллекторного перехода Ск= 40 пФ;

Емкость эммитерного перехода Сэ = 80 пФ;

Номинальный коэффициент усиления Кр = 10 дБ;

Коэффициент шума Кш = 12 дБ;

Постоянная времени цепи обратной связи = 20 нс.

В области высоких частот необходимо учитывать влияние межэлектродных емкостей.

Для этой схемы справедливо равенство: U1 = Uбэ т. о.

U1 = Iб(1+h21)[Zк||(Zэ + R|н)];

Где: R|н = Rн||R3; Zэ = rэ||(1/jCэ); Zк = rк||(1/jCк)

С помощью статической вольт амперной характеристики [справ]выбираем точку покоя на выходной ВАХ (Iк = 2,5 А, Uкэ= 1,2 В), тогда

Iб = Iк/h21Э = 5 . 10-3/40 =3,5 мА.

По выходной статической ВАХ транзистора [спр] определим напряжение Uээ=0,5 В.

Входное сопротивление транзистора:

Rвх = (1 + h21Э) . [Zк || Rн|];

Zк = rк || () = (rк . )/(rк + ) = 75,075 – j28,3 Ом.

Ска = Ск/2 = 3,5 пФ.

rк = rб = 87,5 Ом.

rэ = 0,3 . rб = 0,3 . 85,7 = 25,71 Ом.

= 16,53 – j3,2 Ом.

Rн| = Rн || R3 = (89,2 + j1519) . 1406/(1400 + 89,2 + j1519) = 726,6 + + j635,84.

Rн = 89,2 + j1519.

Rвх| = rб + (1 + h21Э) . [Zк || Zэ || Rн|] = 85,7 + 41 . [(54,67 – j28,3) || ||(23,88 – j7,7) || (726,6 + j635,64)] = 85,7 + 51 . (18 – j5,83) = 834,08 - - j176,81 Ом.

Находим коэффициент усиления по напряжению данного каскада.

= 0,981 – j578,84.

Iб/мА Iк/А

16 200

4 5

4

12 3 3

2,5

8 2 2

1,5

4 1 1

Iб =0,5мА

0,2 0,4 0,6 0,8 1 В 10 20 30 40 Uкэ/В

Рис 3.6 Входные характеристики транзистора КТ 3120А.

Рассчитаем необходимый номинал резистора в базовой цепи транзистора исходя из необходимого тока базы VT1 равного 3,5 мА увеличенного в три раза: